Oxide Thin Film Transistors

$210.00

,

Series: Physics Research and Technology
BISAC: SCI021000

Transparent flexible electronics is an emerging technology which makes use of wide band gap semiconductors that can be processed at low temperatures on glass or plastic substrates. Electronic systems that cover large area and curved surfaces together with transparency bring the possibility of numerous applications that are outside the scope of rigid wafer based electronics. Flexible electronics, electronic textiles, a wearable wellness system, and sensory skin are some of the applications of flexible electronics. The key factor in the realization of transparent electronics is the development of high performance fully transparent thin film transistors. Thin film transistors (TFTs) based on transparent conducting amorphous oxide semiconductors (TAOS) such as InGaZnO (IGZO), zinc tin oxide (ZTO), zinc indium tin oxide (ZITO), etc. provide additional functionalities like transparency, high field effect mobility and potential for room temperature processing. The performance of these TAOS based TFTs are superior to their silicon (a-Si:H TFTs) and organic TFTs.

Though there are monographs and books on a-Si:H TFTs and organic TFTs, a book on TAOS based TFTs is rare. This book introduces the graduate students and beginners to the field of amorphous semiconductors. The mass production of this kind of TFTs on large area substrates involves the complications associated with controlling the composition of oxide compound semiconductor thin film material. Pulsed laser deposition allows for the growth of an oxide semiconductor in a very high oxygen rich environment while co-sputtering is an effective technique for the growth of a multicomponent film and to control the film chemical composition in a systematic and easy way. These manufacturing aspects will be of interest to those working in the industry. The review on the n channel, p channel TFTs, and the detailed description on the extraction of various TFT parameters like the threshold voltage, field effect mobility, sub threshold slope and on-off ratio etc. will be ready reckoner to those working in the field of transparent electronics. (Imprint: Nova)

Add to Wishlist
ISBN: N/A Categories: , , Tags: , ,

Table of Contents

Table of Contents

Preface

Chapter 1. Amorphous Semiconductors and Amorphous Oxide Semiconductors

Chapter 2. Thin Film Transistors

Chapter 3. Characterisation of Zinc Tin Oxide Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition

Chapter 4. Characterization of Zinc Tin Oxide Thin Films Prepared by Co-sputtering

Chapter 5. Characterization of Amorphous Zinc Indium Tin Oxide Thin Films Prepared by Co-sputtering

Chapter 6. Fabrication and Characterization of Amorphous Zinc Tin Oxide and Amorphous Zinc Indium Tin Oxide Thin Film Transistors

About the Authors

Index

References

Chapter 1

[1] Y. Yonezawa, Fundamental Physics of Amorphous Semiconductors (Springer-Verlag, New York, 1981).
[2] S. R. Elliot, Physics of Amorphous Materials (Longman Group Limited, New York, 1984).
[3] S. R. Ovshinsky, D. Adler, and H. Fritzsche, Physics of Disordered Materials (Plenum Press, London, 1985).
[4] J. Singh and K. Shimakawa, Advances in Amorphous Semiconductors (Taylor & Francis, London, 2003).
[5] S. R. Elliott, The Physics and Chemistry of Solids (John Wiley & Sons, Susses, 1998).
[6] M. H. Brodsky, Amorphous Semiconductors (Springer-Verlag, New York, 1979).
[7] M. H. Cohen and H. Fritzsche, Phys. Rev. Lett. 22, 1065 (1969).
[8] N. F. Mott, J. Phys. C Solid State Phys. 13, 5433 (1980).
[9] N. Mott, J. Phys. C Solid State Phys. 20, 3075 (1987).
[10] M. H. Cohen, J. Non. Cryst. Solids 2, 432 (1970).
[11] D. Emin, Electronic and Structural Properties of Amorphous Semiconductors (Academic Press, London, 1973).
[12] J. M. Marshall and A. E. Owen, Philos. Mag. 24, 1281 (1971).
[13] D. Weaire, Phys. Rev. Lett. 26, 1541 (1971).
[14] D. Weaire and M. F. Thorpe, Phys. Rev. B 4, 2508 (1971).
[15] M. F. Thorpe and D. Weaire, Phys. Rev. B 4, 3518 (1971).
[16] E. A. Davis, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 178 (1993).
[17] D. L. Wood and J. Tauc, Phys. Rev. B 5, 3144 (1972).
[18] F. Demichelis, E. Minetti-Mezzetti, A. Tagliaferro, E. Tresso, P. Rava, and N. M. Ravindra, J. Appl. Phys. 59, 611 (1986).
[19] E. A. Fagen and H. Fritzsche, J. Non. Cryst. Solids 4, 480 (1970).
[20] G. D. Cody, Hydrogenated Amorphous Silicon (Academic Press, New York, 1984).
[21] S. Abe and Y. Toyozawa, J. Phys. Soc. Japan 50, 2185 (1981).
[22] N. F. Mott, Philos. Mag. 22, 7 (1970).
[23] T. Kasuya, J. Phys. Soc. Japan 13, 1096 (1958).
[24] T. Kasuya and S. Koide, J. Phys. Soc. Japan 13, 1287 (1958).
[25] A. Miller and E. Abrahams, Phys. Rev. 120, 745 (1960).
[26] N. F. Mott, Philos. Mag. 19, 835 (1969).
[27] M.. Brodsky and R.. Gambino, J. Non. Cryst. Solids 8–10, 739 (1972).
[28] K. Shimakawa, S. Narushima, H. Hosono, and H. Kawazoe, Philos. Mag. Lett. 79, 755 (1999).
[29] D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley-Interscience, New Jersy, 1998).
[30] L. Friedman and T. Holstein, Ann. Phys. (N. Y). 21, 494 (1963).
[31] L. Friedman, J. Non. Cryst. Solids 6, 329 (1971).
[32] D. Emin, Philos. Mag. 35, 1189 (1977).
[33] N. F. Mott, Philos. Mag. Part B 63, 3 (1991).
[34] H. Okamoto, K. Hattori, and Y. Hamakawa, J. Non. Cryst. Solids 164–166, 445 (1993).
[35] H. Hosono, Y. Yamashita, N. Ueda, H. Kawazoe, and K. Schimidzu, Appl. Phys. Lett. 68, 661 (1996).
[36] A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[37] S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 80, 1529 (2002).
[38] O. Madelung, Semiconductors: Data Handbook (Springer, New York, 2003).
[39] Y. Ryu, T. S. Lee, J. a. Lubguban, H. W. White, B. J. Kim, Y. S. Park, and C. J. Youn, Appl. Phys. Lett. 88, 241108 (2006).
[40] S. F. Ding, G. H. Fan, S. T. Li, K. Chen, and B. Xiao, Phys. B Condens. Matter 394, 127 (2007).
[41] J. M. Khoshman, a. Khan, and M. E. Kordesch, J. Appl. Phys. 101, 103532 (2007).
[42] J. M. Khoshman, D. C. Ingram, and M .E. Kordesch, Appl. Phys. Lett. 92, 91902 (2008).
[43] F. M. Hossain, J. Nishii, S. Takagi, a. Ohtomo, T. Fukumura, H. Fujioka, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, J. Appl. Phys. 94, 7768 (2003).
[44] R. L. Hoffman, J. Appl. Phys. 95, 5813 (2004).
[45] A. J. Freeman, K. R. Poeppelmeier, T. O. Mason, and T. J. Marks, MRS Bullettin 45 (2000).
[46] P. D. C. King and T. D. Veal, J. Phys. Condens. Matter 23, 334214 (2011).
[47] S. Samson and C. G. Fonstad, J. Appl. Phys. 44, 4618 (1973).
[48] P. P. Edwards, A. Porch, M. O. Jones, D. V Morgan, and R. M. Perks, Basic Materials Physics of Transparent Conducting Oxides (2004).
[49] S. Lany and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 98, 45501 (2007).
[50] S. B. Zhang and S.-H. Wei, Appl. Phys. Lett. 80, 1376 (2002).
[51] C. Kılıc and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 88, 95501 (2002).
[52] S. Zhang, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 75205 (2001).
[53] H. Hosono, N. Kikuchi, N. Ueda, and H. Kawazoe, J. Non. Cryst. Solids 198–200, 165 (1996).
[54] H. Hosono, J. Non. Cryst. Solids 352, 851 (2006).
[55] T. Kamiya and H. Hosono, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 2, 285 (2005).
[56] W. A. Harrison, Electronic Structure and Properties of Solids (W. A. Freeman, San Fransisco, 1980).
[57] J. Robertson, Phys. Rev. B 30, 3520 (1984).
[58] R. Martins, P. Barquinha, a. Pimentel, L. Pereira, E. Fortunato, D. Kang, I. Song, C. Kim, J. Park, and Y. Park, Thin Solid Films 516, 1322 (2008).
[59] R. A. Street and K. Winer, Phys. Rev. B 40, 6236 (1989).
[60] R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 59, 1084 (1991).
[61] W. B. Jackson, Phys. Rev. B 41, 1059 (1990).
[62] M. J. Powell and S. C. Deane, Phys. Rev. B 48, 10815 (1993).
[63] P. W. Peacock and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 83, 2025 (2003).
[64] S. Narushima, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, Phys. Rev. B 66, 35203 (2002).
[65] R. C. Chittick, J. H. Alexander, and H. F. Sterling, J. Electrochem. Soc. 116, 77 (1969).
[66] W. E. Spear, P. G. Le Comber, S. Kinmond, and M. H. Brodsky, Appl. Phys. Lett. 28, 105 (1976).
[67] D. E. Carlson and C. R. Wronski, Appl. Phys. Lett. 28, 671 (1976).
[68] P. J. Zanzucchi, C. R. Wronski, and D. E. Carlson, J. Appl. Phys. 48, 5227 (1977).
[69] J. I. Pankove and D. E. Carlson, Appl. Phys. Lett. 29, 620 (1976).
[70] D. L. Staebler and C. R. Wronski, Appl. Phys. Lett. 31, 292 (1977).
[71] D. L. Staebler, J. Appl. Phys. 50, 3648 (1979).
[72] P. G. Le Comber, A. Madan, and W. E. Spear, J. Non. Cryst. Solids 11, 219 (1972).
[73] A. Madan, P. G. Le Comber, and W. E. Spear, J. Non. Cryst. Solids 20, 239 (1976).
[74] L. L. Kazmerski, Polycrystalline and Amorphous Thin Films and Devices (Academic Press, New York, 1980).
[75] G. Thomas, Nature 389, 907 (1997).
[76] T. Nozowa, Nikkei Electron. Asia (2007).

Chapter 2

[1] K. Wasa, M. Kitabatake, and H. Adachi, Thin Fim Materials Technology (Springer-Verlag, Germany, 2004).
[2] L. I. Maissel and R. Glang, Handbook of Thin Film Technology (McGraw-Hill, New York, 1970).
[3] M. Ohring, Materials Science of Thin Films: Deposition and Structure (Academic Press, New York, 2001).
[4] D. B. Chrisey and G. K. Hubler, Pulsed Laser Deposition of Thin Films (John Wiley & Sons, New York, 1994).
[5] J. E. Lilienfeld, US Pat. US 1900018, (1933).
[6] O. Heil, Br. Pat. BP439,457, (1935).
[7] W. Shockley, IEEE Trans. Electron Devices ED-31, 1523 (1984).
[8] J. Bardeen and W. H. Brattain, Phys. Rev. 74, 230 (1948).
[9] W. Shockley, Bell Syst. Tech. J. 28, 435 (1949).
[10] W. Shockley, Proc. IEEE 40, 1365 (1952).
[11] P. K. Weimer, Proc. IEEE 50, 1462 (1962).
[12] P. K. Weimer, in Int. Solid-State Circuits Conf. (1962), pp. 32–33.
[13] H. Borkan and P. K. Weimer, RCA Rev. 24, 153 (1963).
[14] P. K. Weimer, Proc. IEEE 52, 608 (1964).
[15] W. E. Howard, Thin-Film Transistors (Marcel Dekker, New York, 2003).
[16] B. J. Lechner, F. J. Marlowe, E. O. Nester, and J. Tults, Proc. IEEE 59, 1566 (1971).
[17] T. P. Brody, J. A. Asars, and G. D. Dixon, IEEE Trans. Electron Devices ED-20, 995 (1973).
[18] T. P. Brody, J. A. Asars, and G. D. Dixon, in Dig. 1973 SID Intl. Symp. (1973), p. 179.
[19] P. G. Le Comber, W. E. Spear, and A. Ghaith, Electron. Lett. 15, 179 (1979).
[20] T. Kallfass and E. Lueder, Thin Solid Films 61, 259 (1979).
[21] E. Lueder, in Dig. 1980 SID Intl. Symp (1980), p. 118.
[22] S. W. Depp, A. Juliana, and B. G. Huth, Proc. 1980 Int. Electron Device Mtg 703 (1980).
[23] Y. Oana, Dig. 1984 SID Intl. Symp. 312 (1984).
[24] T. W. Little, H. Koike, K. Takahara, T. Nakazawa, and H. Oshima, Conf. Rec. 1991 Int. Disp. Res. Conf. 219 (1991).
[25] C. R. Kagan and P. Andry, Thin-Film Transistors (Marcel Dekker Inc., New York, 2003).
[26] M. J. Powell, IEEE Trans. Electron Devices 36, 2753 (1989).
[27] D. Hong, H. Q. Chiang, R. E. Presley, N. L. Dehuff, J. P. Bender, C. H. Park, J. F. Wager, and D. A. Keszler, Thin Solid Films 515, 2717 (2006).
[28] F. M. Hossain, J. Nishii, S. Takagi, a. Ohtomo, T. Fukumura, H. Fujioka, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, J. Appl. Phys. 94, 7768 (2003).
[29] R. L. Hoffman, J. Appl. Phys. 95, 5813 (2004).
[30] H. Ohta and H. Hosono, Mater. Today 3, 42 (2004).
[31] H. Hosono, N. Kikuchi, N. Ueda, and H. Kawazoe, J. Non. Cryst. Solids 198–200, 165 (1996).
[32] S. Martin, C. S. Chiang, J.-Y. Nahm, T. Li, J. Kanicki, and Y. Ugai, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 530 (2001).
[33] L. Pereira, P. Barquinha, E. Fortunato, R. Martins, D. Kang, C.J. Kim, H. Lim, I. Song, and Y. Park, Thin Solid Films 516, 1544 (2008).
[34] S. D. Brotherton, Introduction to Thin Film Transistors (Springer, London, 2013).
[35] R. M. Wallace and G. Wilk, MRS Bull. 27, 186 (2002).
[36] E. P. Gusev, D. A. Buchanan, E. Cartier, A. Kumar, D. DiMaria, S. Guha, A. Callegari, S. Zafar, P. C. Jamison, D. A. Neumayer, M. Copel, M. A. Gribelyuk, H. Okorn-Schmidt, C. D’Emic, P. Kozlowski, K. Chan, N. Bojarczuk, L. A. Ragnarsson, P. Ronsheim, K. Rim, R. J. Fleming, A. Mocuta, and A. Ajmera, in Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. (Cat. No.01CH37224) (IEEE, 2001), p. 20.1.1-20.1.4.
[37] L.-A. Ragnarsson, S. Guha, M. Copel, E. Cartier, N. A. Bojarczuk, and J. Karasinski, Appl. Phys. Lett. 78, 4169 (2001).
[38] H. R. Huff and P. M. Zeitzoff, Solid State Technol. 47, 59 (2004).
[39] S. Q. Wang and G. D. Mahan, Phys. Rev. B 6, 4517 (1972).
[40] K. Hess and P. Vogl, Solid State Commun. 30, 797 (1979).
[41] B. T. Moore and D. K. Ferry, J. Appl. Phys. 51, 2603 (1980).
[42] M. V. Fischetti, D. A. Neumayer, and E. A. Cartier, J. Appl. Phys. 90, 4587 (2001).
[43] B. Laikhtman and P. M. Solomon, J. Appl. Phys. 103, 14501 (2008).
[44] W. C. Sheets, S. J. Kang, H. H. Hsieh, S. I. Lin, C. W. Chou, W. Y. Hung, Z. Chen, S. Lu, X. Yu, D. S. Bull, C. C. Hsaio, and A. Facchetti, in Electron. Components Technol. Conf. (2015), pp. 1878–1882.
[45] M. W. J. Prins, K.-O. Grosse-Holz, G. Muller, J. F. M. Cillessen, J. B. Giesbers, R. P. Weening, and R. M. Wolf, Appl. Phys. Lett. 68, 3650 (1996).
[46] J. B. Giesbers, M. W. J. Prins, J. F. M. Cillessen, and H. a. van Esch, Microelectron. Eng. 35, 71 (1997).
[47] H. Takatsuji, S. Tsuji, K. Kuroda, and H. Saka, Mater. Trans. 40, 899 (1999).
[48] J. Nishii, F.M. Hossain, S. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Koinuma, H. Ohno, and M. Kawasaki, Japanese J. Appl. Physics, Part 2 Lett. 42, 347 (2003).
[49] E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Gonçalves, A .J. S. Marques, R. F. P. Martins, and L. M. N. Pereira, Appl. Phys. Lett. 85, 2541 (2004).
[50] R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003).
[51] P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Appl. Phys. Lett. 82, 1117 (2003).
[52] S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, and T. Kawai, J. Appl. Phys. 93, 1624 (2003).
[53] E. Fortunato, a. Pimentel, L. Pereira, a. Gonçalves, G. Lavareda, H. Águas, I. Ferreira, C. N. Carvalho, and R. Martins, J. Non. Cryst. Solids 338–340, 806 (2004).
[54] E. Bellingeri, D. Marré, L. Pellegrino, I. Pallecchi, G. Canu, M. Vignolo, C. Bernini, and a. S. Siri, Superlattices Microstruct. 38, 446 (2005).
[55] Q. J. Yao and D. J. Li, J. Non. Cryst. Solids 351, 3191 (2005).
[56] I. D. Kim, M. H. Lim, K. Kang, H. G. Kim, and S. Y. Choi, Appl. Phys. Lett. 89, 22905 (2006).
[57] H. C. Cheng, C. F. Chen, and C. C. Lee, Thin Solid Films 498, 142 (2006).
[58] H. H. Hsieh and C. C. Wu, Appl. Phys. Lett. 91, 13502 (2007).
[59] S. J. Lim, S. Kwon, H. Kim, and J.-S. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183517 (2007).
[60] K. Remashan, J. H. Jang, D. K. Hwang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 182101 (2007).
[61] S. M. Yoon, S. H. K. Park, C.-S. Hwang, H. Y. Chu, and K. I. Cho, Electrochem. Solid-State Lett. 11, J15 (2008).
[62] Dhananjay and S. B. Krupanidhi, J. Appl. Phys. 101, 123717 (2007).
[63] M. G. McDowell, R. J. Sanderson, and I. G. Hill, Appl. Phys. Lett. 92, 13502 (2008).
[64] J. H. Kim, B. Du Ahn, C. H. Lee, K. A. Jeon, H. S. Kang, and S. Y. Lee, Thin Solid Films 516, 1529 (2008).
[65] C. Li, Y. Li, Y. Wu, B. Ong, and R. Loutfy, J. Mater. Chem. 19, 1626 (2009).
[66] N. C. Su, S. J. Wang, and A. Chin, Electrochem. Solid-State Lett. 13, H8 (2010).
[67] S. Walther, S. Polster, B. Meyer, M. P. M. Jank, H. Ryssel, and L. Frey, J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. 29, 01A601 (2011).
[68] J. Zhang, Z. Li, L. Shen, C. Ye, B. Wang, and H. Wang, Thin Solid Films 544, 281 (2013).
[69] J. Yang, J. K. Park, S. Kim, W. Choi, S. Lee, and H. Kim, Phys. Status Solidi 209, 2087 (2012).
[70] B. Wang, Y. Li, and I. Cheng, IEEE Trans. Electron Devices 63, 1545 (2016).
[71] T. Rembert, C. Battaglia, A. Anders, and A. Javey, Adv. Mater. 27, 6090 (2015).
[72] T. S. Kang, T. Y. Kim, G. M. Lee, H. C. Sohn, and J. P. Hong, J. Mater. Chem. C 2, 1390 (2014).
[73] Z. Ye and M. Wong, IEEE Electron Device Lett. 33, 549 (2012).
[74] S. Y. Park, B. J. Kim, K. Kim, M. S. Kang, K. H. Lim, T. Il Lee, J. M. Myoung, H. K. Baik, J. H. Cho, and Y. S. Kim, Adv. Mater. 24, 834 (2012).
[75] R. Martins, P. Barquinha, I. Ferreira, L. Pereira, G. Gonçalves, and E. Fortunato, J. Appl. Phys. 101, 44505 (2007).
[76] G. Lavareda, C. Nunes de Carvalho, E. Fortunato, A. R. Ramos, E. Alves, O. Conde, and A. Amaral, J. Non. Cryst. Solids 352, 2311 (2006).
[77] P. Görrn, M. Sander, J. Meyer, M. Kröger, E. Becker, H.-H. Johannes, W. Kowalsky, and T. Riedl, Adv. Mater. 18, 738 (2006).
[78] H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, and D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett. 86, 13503 (2005).
[79] W. B. Jackson, R. L. Hoffman, and G. S. Herman, Appl. Phys. Lett. 87, 193503 (2005).
[80] Y. J. Chang, D. H. Lee, G. S. Herman, and C. H. Chang, Electrochem. Solid-State Lett. 10, H135 (2007).
[81] N. L. Dehuff, E. S. Kettenring, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, C.-H. Park, and D. A. Keszler, J. Appl. Phys. 97, 64505 (2005).
[82] C. G. Choi, S. J. Seo, and B. S. Bae, Electrochem. Solid-State Lett. 11, H7 (2008).
[83] R. E. Presley, C. L. Munsee, C. H. Park, D. Hong, J. F. Wager, and D. a Keszler, J. Phys. D. Appl. Phys. 37, 2810 (2004).
[84] Dhananjay and C. W. Chu, Appl. Phys. Lett. 91, 132111 (2007).
[85] M. S. Grover, P. a Hersh, H. Q. Chiang, E. S. Kettenring, J. F. Wager, and D. A. Keszler, J. Phys. D. Appl. Phys. 40, 1335 (2007).
[86] D.C. Paine, B. Yaglioglu, Z. Beiley, and S. Lee, Thin Solid Films 516, 5894 (2008).
[87] S.-J. Seo, C. G. Choi, Y. H. Hwang, and B.-S. Bae, J. Phys. D. Appl. Phys. 42, 35106 (2008).
[88] W. Kim, J. H. Bang, H. S. Uhm, S. H. Lee, and J. S. Park, Thin Solid Films 519, 1573 (2010).
[89] H. C. Cheng and C. Y. Tsay, J. Alloys Compd. 507, L1 (2010).
[90] C. Y. Koo, K. Song, T. Jun, D. Kim, Y. Jeong, S.-H. Kim, J. Ha, and J. Moon, J. Electrochem. Soc. 157, J111 (2010).
[91] J. Jia, Y. Torigoshi, E. Kawashima, F. Utsuno, K. Yano, and Y. Shigesato, Appl. Phys. Lett. 106, (2015).
[92] C. S. Fuh, P. T. Liu, W. H. Huang, and S. M. Sze, IEEE Electron Device Lett. 35, 1103 (2014).
[93] Y. H. Kim, J. I. Han, and S. K. Park, IEEE Electron Device Lett. 33, 50 (2012).
[94] M. Fakhri, M. Theisen, a. Behrendt, P. Görrn, and T. Riedl, Appl. Phys. Lett. 104, 251603 (2014).
[95] R. Martins, P. Barquinha, I. Ferreira, L. Pereira, G. Goņalves, and E. Fortunato, J. Appl. Phys. 101, 1 (2007).
[96] H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006).
[97] T. Iwasaki, N. Itagaki, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 90, 242114 (2007).
[98] D. Kang, H. Lim, C. Kim, I. Song, J. Park, Y. Park, and J. Chung, Appl. Phys. Lett. 90, 192101 (2007).
[99] R. Hayashi, M. Ofuji, N. Kaji, K. Takahashi, K. Abe, H. Yabuta, M. Sano, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, J. SID 15, 915 (2007).
[100] M. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J.-S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 212114 (2007).
[101] J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, and S.-I. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 262106 (2007).
[102] J. K. Jeong, J. H. Jeong, H. W. Yang, J. S. Park, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 91, 113505 (2007).
[103] K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
[104] K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science 300, 1269 (2003).
[105] W. Lim, S. Kim, Y. L. Wang, J. W. Lee, D. P. Norton, S. J. Pearton, F. Ren, and I. I. Kravchenko, J. Electrochem. Soc. 155, H383 (2008).
[106] P. Barquinha, A.M. Vila, G. Gonçalves, L. Pereira, R. Martins, J. R. Morante, and E. Fortunato, IEEE Trans. Electron Devices 55, 954 (2008).
[107] J. Park, S. Kim, C. Kim, I. Song, H. Yin, K. K. Kim, S. Lee, K. Hong, J. Lee, J. Jung, E. Lee, K.-W. Kwon, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 53505 (2008).
[108] H. Q. Chiang, B. R. McFarlane, D. Hong, R. E. Presley, and J. F. Wager, J. Non. Cryst. Solids 354, 2826 (2008).
[109] J. Park, I. Song, S. Kim, S. Kim, C. Kim, J. Lee, H. Lee, E. Lee, H. Yin, K. K. Kim, K. W. Kwon, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 5 (2008).
[110] I. Song, S. Kim, H. Yin, C. J. Kim, J. Park, S. Kim, H. S. Choi, E. Lee, and Y. Park, IEEE Electron Device Lett. 29, 549 (2008).
[111] J. Park, C. Kim, S. Kim, I. Song, S. Kim, D. Kang, H. Lim, H. Yin, R. Jung, E. Lee, J. Lee, K. W. Kwon, and Y. Park, IEEE Electron Device Lett. 29, 879 (2008).
[112] W. Lim, S. H. Kim, Y. L. Wang, J. W. Lee, D. P. Norton, S. J. Pearton, F. Ren, and I. I. Kravchenko, J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. 26, 959 (2008).
[113] B. Du Ahn, H. S. Shin, H. J. Kim, J. S. Park, and J. K. Jeong, Appl. Phys. Lett. 93, 2 (2008).
[114] W. S. Kim, Y. K. Moon, S. Lee, B. W. Kang, T. S. Kwon, K. T. Kim, and J. W. Park, Phys. Status Solidi – Rapid Res. Lett. 3, 239 (2009).
[115] S. Il Kim, J. S. Park, C. J. Kim, J. C. Park, I. Song, and Y. S. Park, J. Electrochem. Soc. 156, H184 (2009).
[116] J. Jeong, Y. Hong, J. K. Jeong, J. S. Park, and Y. G. Mo, J. Disp. Technol. 5, 495 (2009).
[117] K.-S. Son, T.-S. Kim, J. S. Jung, M. K. Ryu, K. B. K. Park, B. W. Yoo, K. B. K. Park, J.-Y. Kwon, S. Y. Lee, and J.-M. Kim, Electrochem. Solid-State Lett. 12, H26 (2009).
[118] C. H. Jung, D. J. Kim, Y. K. Kang, and D. H. Yoon, Thin Solid Films 517, 4078 (2009).
[119] A. Sato, K. Abe, R. Hayashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 94, 2009 (2009).
[120] S. Adachi and S. Okamura, Appl. Phys. Express 3, 9 (2010).
[121] Y. Kikuchi, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Thin Solid Films 518, 3017 (2010).
[122] W. S. Kim, Y. K. Moon, K. T. Kim, J. H. Lee, B. Du Ahn, and J. W. Park, Thin Solid Films 518, 6357 (2010).
[123] C. J. Chiu, S. P. Chang, and S. J. Chang, IEEE Electron Device Lett. 31, 1245 (2010).
[124] H. Bae, J. H. Kwon, S. Chang, M. H. Chung, T. Y. Oh, J. H. Park, S. Y. Lee, J. J. Pak, and B. K. Ju, Thin Solid Films 518, 6325 (2010).
[125] C. Y. Lee, C. Chang, W. P. Shih, and C. L. Dai, Thin Solid Films 518, 3992 (2010).
[126] C.-J. Kim, S. Kim, J. H. Lee, J. S. Park, S. Kim, J. Park, E. Lee, J. Lee, Y. Park, J. H. Kim, S. T. Shin, and U.-I. Chung, Appl. Phys. Lett. 95, 252103 (2009).
[127] K. Takechi, M. Nakata, S. Yamaguchi, H. Tanabe, and S. Kaneko, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 5 (2010).
[128] E. Chong, Y. S. Chun, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 97, 2010 (2010).
[129] J. H. Jeon, Y. H. Hwang, B. S. Bae, H. L. Kwon, and H. J. Kang, Appl. Phys. Lett. 96, 2010 (2010).
[130] S. Yang, D. H. Cho, M. K. Ryu, S. H. K. Park, C. S. Hwang, J. Jang, and J. K. Jeong, IEEE Electron Device Lett. 31, 144 (2010).
[131] D. N. Kim, D. L. Kim, G. H. Kim, S. J. Kim, Y.S. Rim, W. H. Jeong, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 97, 2010 (2010).
[132] J.-H. Kim, U. K. Kim, Y. J. Chung, S.-H. Rha, H.-S. Jung, S. Y. Lee, J. S. Jung, S. Y. Lee, and C. S. Hwang, ECS Trans. 33, 319 (2010).
[133] Y. G. Mo, M. Kim, and H. D. Kim, J. SID 19, 16 (2011).
[134] M. Mativenga, S. An, and J. Jang, IEEE Electron Device Lett. 34, 1533 (2013).
[135] R. N. Bukke, C. Avis, and J. Jang, IEEE Electron Device Lett. 37, 433 (2016).
[136] D. H. Cho, S. H. Yang, J. H. Shin, C. W. Byun, M. K. Ryu, J. I. Lee, C. S. Hwang, and H. Y. Chu, J. Korean Phys. Soc. 54, 531 (2009).
[137] R. B. M. Cross and M. M. De Souza, Appl. Phys. Lett. 89, 263513 (2006).
[138] P. Görrn, P. Hölzer, T. Riedl, W. Kowalsky, J. Wang, T. Weimann, P. Hinze, and S. Kipp, Appl. Phys. Lett. 90, 63502 (2007).
[139] A. Suresh and J. F. Muth, Appl. Phys. Lett. 92, 33502 (2008).
[140] P. Görrn, M. Lehnhardt, T. Riedl, and W. Kowalsky, Appl. Phys. Lett. 91, 193504 (2007).
[141] J. S. Park, J. K. Jeong, H.-J. Chung, Y.-G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 92, 72104 (2008).
[142] Y. Vygranenko, K. Wang, and A. Nathan, Appl. Phys. Lett. 91, 263508 (2007).
[143] K. Remashan, D. K. Hwang, S. D. Park, J. W. Bae, G. Y. Yeom, S. J. Park, and J. H. Jang, Electrochem. Solid-State Lett. 11, H55 (2008).
[144] H. J. Chung, J. H. Jeong, T. K. Ahn, H. J. Lee, M. Kim, K. Jun, J.-S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Electrochem. Solid-State Lett. 11, H51 (2008).
[145] E. Fortin and F. L. Weichman, Can. J. Phys. 44, 1551 (1966).
[146] K. Matsuzaki, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 93, 202107 (2008).
[147] M. Nolan and S. D. Elliott, Phys. Chem. Chem. Phys. 8, 5350 (2006).
[148] H. Raebiger, S. Lany, and A. Zunger, Phys. Rev. B 76, 45209 (2007).
[149] K. Matsuzaki, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Phys. Status Solidi Appl. Mater. Sci. 206, 2192 (2009).
[150] C. Y. Jeong, J. Sohn, S. H. Song, I. T. Cho, J. H. Lee, E. S. Cho, and H. I. Kwon, Appl. Phys. Lett. 102, 82103 (2013).
[151] Y. Ogo, H. Hiramatsu, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 93, 32113 (2008).
[152] A. Togo, F. Oba, I. Tanaka, and K. Tatsumi, Phys. Rev. B 74, 195128 (2006).
[153] K. J. Saji and A. P. R. Mary, ECS J. Solid State Sci. Technol. 4, Q101 (2015).
[154] C. W. Ou, Z. Y. Ho, Y. C. Chuang, S. S. Cheng, M. C. Wu, K. C. Ho, and C. W. Chu, Appl. Phys. Lett. 92, 122113 (2008).
[155] J. Yu, G. Liu, A. Liu, Y. Meng, B. Shin, and F. Shan, J. Mater. Chem. C 3, 9509 (2015).
[156] Z. Chen, X. Xiao, Y. Shao, W. Meng, S. Zhang, L. Yue, L. Xie, P. Zhang, H. Lu, and S. Zhang, in 12th IEEE Int. Conf. Solid-State Integr. Circuit Technol. (Piscataway, NJ, USA, 2014).
[157] F. Y. Ran, M. Taniguti, H. Hosono, and T. Kamiya, J. Disp. Technol. 11, 720 (2015).
[158] K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Adv. Mater. 23, 3431 (2011).
[159] H. Luo, L. Y. Liang, Q. Liu, and H. T. Cao, ECS J. Solid State Sci. Technol. 3, Q3091 (2014).
[160] Y. Han, Y. Choi, and I. Cho, IEEE Electron Device Lett. 35, 1260 (2014).
[161] U. Myeonghun, Y. Han, S. Song, I. Cho, J. Lee, and H.-I. Kwon, J. Semicond. Technol. Sci. 14, 666 (2014).
[162] P. C. Hsu, C. J. Hsu, C. H. Chang, S. P. Tsai, W. C. Chen, H. H. Hsieh, and C. C. Wu, ACS Appl. Mater. Interfaces 6, 13724 (2014).
[163] I. Chiu, Y. Li, M. S. Tu, and I. C. Cheng, IEEE Electron Device Lett. 35, 1263 (2014).
[164] I. Chiu, S. Member, and I. Cheng, IEEE Electron Device Lett. 35, 90 (2014).
[165] I. T. Cho, M. U, S. H. Song, J. H. Lee, and H. I. Kwon, Semicond. Sci. Technol. 29, 45001 (2014).
[166] P. Hsu, W. Chen, Y. Tsai, Y. Kung, and C. Chang, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 05DC07 (2013).
[167] J. A. Caraveo-Frescas, P. K. Nayak, H. A. Al-Jawhari, D. B. Granato, U. Schwingenschlögl, and H. N. Alshareef, ACS Nano 7, 5160 (2013).
[168] H. A. Al-jawhari, J. A. Caraveo-Frescas, M. N. Hedhili, and H. N. Alshareef, Appl. Mater. Interfaces 5, 9615 (2013).
[169] H. N. Lee, B. J. Song, and J. C. Park, J. Disp. Technol. 10, 288 (2014).
[170] D. B. Granato, J. A. Caraveo-Frescas, H. N. Alshareef, and U. Schwingenschlögl, Appl. Phys. Lett. 102, 212105 (2013).
[171] R. Martins, A. Nathan, R. Barros, L. Pereira, P. Barquinha, N. Correia, R. Costa, A. Ahnood, I. Ferreira, and E. Fortunato, Adv. Mater. 23, 4491 (2011).
[172] J. H. Na, M. Kitamura, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 213505 (2008).
[173] K. Nomura, T. Aoki, K. Nakamura, T. Kamiya, T. Nakanishi, T. Hasegawa, M. Kimura, T. Kawase, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 96, 263509 (2010).
[174] H. Yabuta, N. Kaji, R. Hayashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 97, 72111 (2010).
[175] P. K. Nayak, J. A. Caraveo-Frescas, Z. Wang, M. N. Hedhili, Q. X. Wang, and H. N. Alshareef, Sci. Rep. 4, 4672 (2014).
[176] R. E. Presley, D. Hong, H. Q. Chiang, C. M. Hung, R. L. Hoffman, and J. F. Wager, Solid. State. Electron. 50, 500 (2006).
[177] D. H. Kang, I. Kang, S. H. Ryu, and J. Jang, IEEE Electron Device Lett. 32, 1385 (2011).
[178] Y. Li, J. He, S. Hsu, C. Lee, D. Su, F. Tsai, and I. Cheng, IEEE Electron Device Lett. 37, 46 (2016).
[179] T. Arai, J. Soc. Inf. Disp. 20, 156 (2012).
[180] K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V Morozov, and a K. Geim, Proc. Natl. Acad. Sci. USA. 102, 10451 (2005).
[181] M. Xu, T. Liang, M. Shi, and H. Chen, (2013).
[182] Y. Huang, E. Sutter, J. T. Sadowski, M. Cotlet, O. L. a Monti, D. a Racke, M. R. Neupane, D. Wickramaratne, R. K. Lake, B. a Parkinson, and P. Sutter, ACS Nano 8, 10743 (2014).
[183] A. D. Franklin, Science (80-. ). 349, aab2750 (2015).
[184] D. Akinwande, N. Petrone, and J. Hone, Nat. Commun. (2014).
[185] M. M. Perera, M. Lin, H. Chuang, B. P. Chamlagain, C. Wang, X. Tan, M. M. Cheng, and D. Toma, ACS Nanoano 7, 4449 (2013).
[186] B. Radisavljevic and A. Kis, Nat. Mater. 12, 815 (2013).
[187] A. Allain and A. Kis, ACS Nano 8, 7180 (2014).
[188] S. Das and J. Appenzeller, Phys. Status Solidi – Rapid Res. Lett. 7, 268 (2013).
[189] R. Kappera, D. Voiry, S. E. Yalcin, B. Branch, G. Gupta, A. D. Mohite, and M. Chhowalla, Nat. Mater. 13, 1128 (2014).
[190] S. Cho, S. Kim, J. H. Kim, J. Zhao, J. Seok, D. H. Keum, J. Baik, D. H. Choe, K. J. Chang, K. Suenaga, S. W. Kim, Y. H. Lee, and H. Yang, Science (80-. ). 349, 625 (2015).
[191] F. Leonard and A. A. Talin, Nat. Nanotechnol. 6, 773 (2011).
[192] X. Tong, E. Ashalley, F. Lin, H. Li, and Z. M. Wang, Nano-Micro Lett. (2015).

Chapter 3

[1] S. Major, S. Kumar, M. Bhatnagar, and K. L. Chopra, Appl. Phys. Lett. 49, 394 (1986).
[2] T. Minami, H. Sato, H. Nanto, and S. Takata, Thin Solid Films 176, 277 (1989).
[3] Z. C. Jin, I. Hamberg, and C. G. Granqvist, J. Appl. Phys. 64, 5117 (1988).
[4] J. H. H and R. G. Gordon, J. Appl. Phys. 72, 5381 (n.d.).
[5] F. J. Cava, J. M. Phillips, J. Kwo, G. A. Thomas, R. B. Van Dover, S. A. Carter, J. J. Krajewski, W. F. Peck, J. H. Marshall, and D. H. Rapkine, (n.d.).
[6] K. L. Chopra, S. Major, and D. K. Pandya, Thin Solid Films 102, 1 (1983).
[7] T. Minami, S. Takata, H. Sato, and H. Sonohara, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1095 (1995).
[8] D. L. Young, D. L. Williamson, and T. J. Coutts, J. Appl. Phys. 91, 1464 (2002).
[9] D. L. Young, H. Moutinho, Y. Yan, and T. J. Coutts, J. Appl. Phys. 92, 310 (2002).
[10] T. Moriga, Y. Hayashi, K. Kondo, Y. Nishimura, K. Murai, I. Nakabayashi, H. Fukumoto, and K. Tominaga, J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum, Surfaces, Film. 22, 1705 (2004).
[11] E. Çetinörgü, S. Goldsmith, and R. L. Boxman, Thin Solid Films 515, 880 (2006).
[12] D. Kovacheva and K. Petrov, Solid State Ionics 109, 327 (1998).
[13] Y. S. Shen and Z. T. Zhang, Sensors Actuators B Chem. 12, 5 (1993).
[14] P. Görrn, M. Sander, J. Meyer, M. Kröger, E. Becker, H. H. Johannes, W. Kowalsky, and T. Riedl, Adv. Mater. 18, 738 (2006).
[15] K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4303 (2006).
[16] Reprinted with permission from M. K. Jayaraj, K. J. Saji, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, J. Vac. Sci. Technol. B

26, 495 (2008). © 2008 American Vacuum Society.
[17] K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, K. Ueda, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 85, 1993 (2004).
[18] K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
[19] Takagi, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Thin Solid Films 486, 38 (2005).

Chapter 4

[1] H. L. Hartnagel, A. L. Dawar, A. K. Jain, and C. Jagadish, Semiconducting Transparent Thin Films (Institute of Physics, London, 1995).
[2] H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, and D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett. 86, 13503 (2005).
[3] D. L. Young, H. Moutinho, Y. Yan, and T. J. Coutts, J. Appl. Phys. 92, 310 (2002).

Chapter 5

[1] K. L. Chopra, S. Major, and D. K. Pandya, Thin Solid Films 102, 1 (1983).
[2] S. E. Dali, M. Jayachandran, and M. J. Chockalingam, J. Mater. Sci. Lett. 18, 915 (1999).
[3] H. Kawazoea, N. Ueda, H. Un’no, T. Omata, H. Hosono, and H. Tanoue, J. Appl. Phys. 76, 7935 (1994).
[4] T. Omata, N. Ueda, and K. Ueda, 64, 1077 (1994).
[5] K. Yanagawa, Y. Ohki, T. Omata, H. Hosono, N. Ueda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 65, 406 (1994).
[6] M. Yasukawa, H. Hosono, N. Ueda, and H. Kawazoe, J. Ceram. Soc. Japan 103, 455 (1995).
[7] M. Orita, H. Tanji, M. Mizuno, H. Adachi, and I. Tanaka, Phys. Rev. B 61, 1811 (2000).
[8] J. R. Bellingham, W. a Phillips, and C. J. Adkins, J. Phys. Condens. Matter 2, 6207 (1990).
[9] H. Nakazawa, Y. Ito, E. Matsumoto, K. Adachi, N. Aoki, and Y. Ochiai, J. Appl. Phys. 100, 93706 (2006).
[10] M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, S. Narushima, and H. Hosono, Philos. Mag. Part B 81, 501 (2001).
[11] S. Narushima, H. Hosono, J. Jisun, T. Yoko, and K. Shimakawa, J. Non. Cryst. Solids 274, 313 (2000).
[12] N. Kikuchi, H. Hosono, H. Kawazoe, K. Oyoshi, and S. Hishita, J. Am. Ceram. Soc. 80, 22 (1997).
[13] P. Görrn, M. Sander, J. Meyer, M. Kröger, E. Becker, H.-H. Johannes, W. Kowalsky, and T. Riedl, Adv. Mater. 18, 738 (2006).
[14] M. S. Grover, P. a Hersh, H. Q. Chiang, E. S. Kettenring, J. F. Wager, and D. A. Keszler, J. Phys. D. Appl. Phys. 40, 1335 (2007).
[15] K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
[16] S. Kobayashi, S. Nonomura, T. Ohmori, K. Abe, S. Hirata, T. Uno, T. Gotoh, and S. Nitta, Appl. Surf. Sci. 113–114, 480 (1997).
[17] N. L. Dehuff, E. S. Kettenring, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, C.-H. Park, and D. A. Keszler, J. Appl. Phys. 97, 64505 (2005).
[18] T. Minami, H. Sonohara, T. Kakamu, and S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L971 (1995).
[19] J. M. Phillips, R. J. Cava, G. A. Thomas, S. A. Carter, J. Kwo, T. Siegrist, J. J. Krajewski, J. H. Marshall, W. F. Peck, D. H. Rapkine, T. B. Laboratories, and M. Hill, 67, 2246 (1995).
[20] W. S. Jung, Y. J. Seo, D. W. Lee, and D. Y. Jeon, Thin Solid Films 445, 63 2003).
[21] T. Sasabayashi, N. Ito, E. Nishimura, M. Kon, P. K. Song, K. Utsumi, A. Kaijo, and Y. Shigesato, Thin Solid Films 445, 219 (2003).
[22] Reprinted from Thin Solid Films, K. J. Saji and M. K. Jayaraj, Optical and electrical properties of co-sputtered amorphous transparent conducting zinc indium tin oxide thin films 516, 6002, ©2007, with permission from Elsevier.
[23] R. Swanepoel, J. Phys. E Sci. Intruments 16, 1214 (1983).
[24] K. F. Berggren and B. E. Sernelius, Phys. Rev. B 24, 1971 (1981).
[25] P. B. Allen, Phys. Rev. B 18, 5217 (1978).
[26] B. Chakraborty and P. B. Allen, Phys. Rev. B 18, 5225 (1978).
[27] H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, M. Kikuchi, H. Yanagi, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 91, 12104 (2007).
[28] Takagi, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Thin Solid Films 486, 38 (2005).
[29] S. Narushima, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, Phys. Rev. B 66, 35203 (2002).
[30] D. Stauffer and A. Aharony, Introduction to Percolation Theory (Taylor & Francis, London, 1992).
[31] E. A. Davis and N. F. Mott, Philos. Mag. 22, 903 (1970).
[32] R. Martins, P. Barquinha, I. Ferreira, L. Pereira, G. Goņalves, and E. Fortunato, J. Appl. Phys. 101, 1 (2007).
[33] R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003).
[34] K. Nomura, J. Appl. Phys. 95, 5532 (2004).
[35] K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science (80-. ). 300, 1269 (2003).
[36] J. M. Ngaruiya, O. Kappertz, S. H. Mohamed, and M. Wuttig, Appl. Phys. Lett. 85, 748 (2004).
[37] S. Mraz and J. M. Schneider, Appl. Phys. Lett. 89, 51502 (2006).
[38] S. Mraz and J. M. Schneider, J. Appl. Phys. 100, 23503 (2006).
[39] S. Samson and C. G. Fonstad, J. Appl. Phys. 44, 4618 (1973).
[40] S. Lany and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 98, 45501 (2007).
[41] S. B. Zhang and S.-H. Wei, Appl. Phys. Lett. 80, 1376 (2002).
[42] H. Hosono, J. Non. Cryst. Solids 352, 851 (2006).
[43] K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4303 (2006).
[44] Reprinted from K. J. Saji and M. K. Jayaraj, Phys. Stat. Sol. (a) 205, 1625 (2008). ©2008 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

Chapter 6

[1] D. J. Radack, 5 (1999).
[2] H. Hosono, N. Kikuchi, N. Ueda, and H. Kawazoe, J. Non. Cryst. Solids 198–200, 165 (1996).
[3] H. Hosono, J. Non. Cryst. Solids 352, 851 (2006).
[4] H. H. Hsieh and C. C. Wu, Appl. Phys. Lett. 91, 13502 (2007).
[5] H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006).
[6] T. Iwasaki, N. Itagaki, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 90, 242114 (2007).
[7] D. Kang, H. Lim, C. Kim, I. Song, J. Park, Y. Park, and J. Chung, Appl. Phys. Lett. 90, 192101 (2007).
[8] M. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 212114 (2007).
[9] J. K. Jeong, J. H. Jeong, H. W. Yang, J. S. Park, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 91, 113505 (2007).
[10] K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
[11] P. Görrn, M. Sander, J. Meyer, M. Kröger, E. Becker, H. H. Johannes, W. Kowalsky, and T. Riedl, Adv. Mater. 18, 738 (2006).
[12] P. Görrn, P. Hölzer, T. Riedl, W. Kowalsky, J. Wang, T. Weimann, P. Hinze, and S. Kipp, Appl. Phys. Lett. 90, 63502 (2007).
[13] S. Kobayashi, S. Nonomura, T. Ohmori, K. Abe, S. Hirata, T. Uno, T. Gotoh, and S. Nitta, Appl. Surf. Sci. 113–114, 480 (1997).
[14] R. Martins, P. Barquinha, I. Ferreira, L. Pereira, G. Gonçalves, and E. Fortunato, J. Appl. Phys. 101, 44505 (2007).
[15] N. L. Dehuff, E. S. Kettenring, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, C.-H. Park, and D. A. Keszler, J. Appl. Phys. 97, 64505 (2005).
[16] P. Barquinha, a. Pimentel, a. Marques, L. Pereira, R. Martins, and E. Fortunato, J. Non. Cryst. Solids 352, 1756 (2006).
[17] B. Yaglioglu, H. Y. Yeom, R. Beresford, and D. C. Paine, Appl. Phys. Lett. 89, 62103 (2006).
[18] M. S. Grover, P. a Hersh, H. Q. Chiang, E. S. Kettenring, J. F. Wager, and D. A. Keszler, J. Phys. D. Appl. Phys. 40, 1335 (2007).
[19] T. Minami, H. Sonohara, T. Kakamu, and S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L971 (1995).
[20] W. S. Jung, Y. J. Seo, D. W. Lee, and D. Y. Jeon, Thin Solid Films 445, 63 (2003).
[21] J. M. Phillips, R. J. Cava, G. A. Thomas, S. A. Carter, J. Kwo, T. Siegrist, J. J. Krajewski, J. H. Marshall, W. F. Peck, D. H. Rapkine, T. B. Laboratories, and M. Hill, 67, 2246 (1995).
[22] T. Sasabayashi, N. Ito, E. Nishimura, M. Kon, P. K. Song, K. Utsumi, A. Kaijo, and Y. Shigesato, Thin Solid Films 445, 219 (2003).
[23] J. Perkins, J. del Cueto, J. Alleman, C. Warmsingh, B.. Keyes, L.. Gedvilas, P.. Parilla, B. To, D. Readey, and D. Ginley, Thin Solid Films 411, 152 (2002).
[24] H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Thin Solid Films 516, 1516 (2008).
[25] Suresh and J. F. Muth, Appl. Phys. Lett. 92, 33502 (2008).
[26] J. F. Wager, D. A. Keszler, and R. E. Presley, Transparent Electronics (Springer-Verlag, New York, 2007).
[27] Reproduced with permission from J. Electrochem. Soc., 155 (6) H390-H395 (2008). ©2008, The Elctrochemical Society.
[28] C. R. Kagan and P. Andry, Thin-Film Transistors (Marcel Dekker Inc., New York, 2003).
[29] K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4303 (2006).
[30] K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, T. Uruga, M. Hirano, and H. Hosono, Phys. Rev. B 75, 35212 (2007).
[31] F. Utsuno, H. Inoue, Y. Shimane, T. Shibuya, K. Yano, K. Inoue, I. Hirosawa, M. Sato, and T. Honma, Thin Solid Films 516, 5818 (2008).
[32] T. Kamiya, S. Narushima, H. Mizoguchi, K. Shimizu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Adv. Funct. Mater. 15, 968 (2005).
[33] G. Thomas, Nature 389, 907 (1997).
[34] J. F. Wager, 561, 2002 (2002).
[35] H. Ohta and H. Hosono, Mater. Today 42 (2004).
[36] H. C. Lim, B. Schulkin, M. J. Pulickal, S. Liu, R. Petrova, G. Thomas, S. Wagner, and K. J. Feerici, Sensors Actuators A Phys. 119, 332 (2005).
[37] S. R. Forrest, Nature 428, 911 (2004).
[38] J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, and S. I. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 262106 (2007).
[39] Y. J. Chang, D. H. Lee, G. S. Herman, and C. H. Chang, Electrochem. Solid-State Lett. 10, H135 (2007)

 

 

Book is mainly written for graduate students and the beginners in thin film transistor research. People who are interested in transparent electronics and 2D materials, and those who working in display device industries will be benefitted from this book. Non-professional who are interested in transparent electronic devices will also get information about the fundamental working principles of these devises.

Publish with Nova Science Publishers

We publish over 800 titles annually by leading researchers from around the world. Submit a Book Proposal Now!